曹玉暖的连续提问让会议室里气氛热烈起来，大家都觉得既然一个博士实习生提出的问题胡一亭都耐心解答，那自己提一两个深奥些的问题也不算丢人吧。
在这种心态下大家也变得放松起来，一个个问题接踵而至，胡一亭对此也都毫不厌倦，一一耐心作答。
在回答了二十多个问题以后，众人对胡一亭的技术底蕴和知识深度有了直观认识，大家终于明白，胡一亭的技术背景已经不能用成熟来形容，简直可以称得上博大精深！
成光所马佳光所长在会议桌旁安静地听着，心中惊异莫名，一系列问题之后，他清楚地认识到，胡一亭这种水平完全可以媲美西方顶级半导体实验室首席科学家的程度，没有十几年的制程与芯片设计功底，根本不可能对这么多问题举重若轻，对这么多技术案例信手拈来，他对制程工艺的掌握和对制程设备的理解，可以说高于国内自己见过的所有专家！
“天才难道就是这样的吗？他才18岁啊……我18岁的时候在干嘛呢……难道胡一亭是从小就在半导体实验室里泡大的不成？实在是无法解释啊……”
胡一亭说的口干舌燥，眼看着大家的问题告一段落，便低下头继续翻动自己做的PPT。
“嗯，接下来我给大家讲一下，这是我发明的一个新技术。”
一听说又有新技术要诞生了，在座的科学家和工程师们立刻竖起了耳朵，生怕漏过一丝信息。
胡一亭指着投影屏幕道：“这是我做的关于存储器技术发展的一个路线图，大家可以看到，从存储器诞生以后，出现了挥发性存储器和非挥发性存储器，其中非挥发性存储器的地位越来越重要，从1970年诞生了以浮空多晶硅栅为基础的可擦除只读存储器EPR之后，国际上的存储半导体技术并没有丝毫裹足不前，而是正在不断加速前进。
EPR需要从系统上取下后暴露于紫外光下进行擦除，且每次擦除都完全抹去所有信息，这样使用很不方便，目前已经逐渐退出市场。它的替代物是后来出现的电可擦除EEPR，从此存储器就实现了在电路中灵活编程。
之后在EEPR的基础上，又发展出了快闪存储器Fl-ery，比起每次只能操作单字节擦除的EEPR，Fl-ery可以允许同时擦除全部阵列单元的存储信息，因此目前围绕Fl-ery技术的开发，国际上已经形成了一股潮流，科技界对于这一器件的未来非常看好，西方各大厂商都试图在这一领域取得技术突破。
目前来说，国际上认为，只有不断在制程线宽上做文章，才能把闪存做的更大，因为芯片面积想要做大难度很高，面积增加带来的成本上升曲线是陡峭的，非常划不来，所以只有采用最先进的线宽才能在同样大小的闪存颗粒上集成更多的存储单元。
但是我们应该明白，制程线宽的提升是很慢的，按照摩尔定律的升级速度，晶体管数量要18个月才能翻翻，也就是说闪存芯片的容量被摩尔定律锁住了。
这是不可以接受的！
至少对于我们这些搞技术的人来说是无法接受的！我们决不能被摩尔定律捆住手脚。”
此言一出，大家都愣住了，心说你胡一亭是牛，这我们承认，可你要挑战摩尔定律，这大话可就说的太离谱了，不提高线宽的前提下，你就是把设计做出花来，晶体管数量也还是那么多，怎么可能提高存储容量呢？
胡一亭知道大家的困惑，继续道：“其实方法是有的，我今天要介绍的就是我思考出的一种突破闪存容量上限的新技术。”
胡一亭切换PPT图片，“目前国际上有些专家也对此阐述过一些技术，我总结下来有三种，一种是质子非挥发性存储器；第二种是纳米存储器；第三种是单电子存储器。
我想说的是，这些都不靠谱，至少三十年内看不到商业应用的前景，因为无论从材料学还是从工程学角度，这些目前都是科幻里才能实现的技术，实验室里进行少量晶体管质子存储实验，或者用一两个碳纳米管验证可存储性能，或者用精密仪器实现单电子操纵，这都可以，但一到工程上就行不通了，大面积的工程应用做不出来就等于白说，现在谁都不知道要用怎样的设备和工艺去进行大规模制造，所以我们不要去考虑这些概念。”
胡一亭继续切换PPT，“目前我们能做的只有继续在Fl-ery技术上进行发展，继续依靠半导体器件的电荷俘获原理，通过改进传统的浮栅结构，发展与普通逻辑工艺相兼容的新技术。
我个人这次发明的这种新技术，我称之为lti-Level-ell，简称L，而传统Fl-ery闪存工艺我称之为igle-Level-ell，简称L。
顾名思义，这两者区别在于传统L是单层式存储，而我发明的L技术是多层式存储。”
胡一亭说完，整个会议室骚动起来，大家的兴趣完全被他调动起来。
赵赫激动道：“胡总，这个多层存储究竟是怎么回事？是不是把两个芯片叠在一起做封装？这要怎