更容易做了。”陆山开始盘算后面的事情。
现在的RAM内存条。大多数内存条使用的是3V或5V的直流电压，确保每个电路都能得到充分的能量。
半导体RAM是易失性RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的。
可如果突然断电，啥都没了，所以后面的产品搞出了DDR3和DDR4，这两种不同的接口供电方式，各有千秋。
DDR3依靠主板供电，而DDR4则更加独立。
这也让DDR4内存条在供电稳定性上更胜一筹，支持更快的数据传输速度。
不过除了RAM，还有ROM的存储方式，断电后可以保存数据，也就是所谓的存储器（硬盘）但是因为工艺的原因，它的读写速度会比RAM慢很多。
现在陆山要做的就是通过材料改变RAM，使其有ROM的稳定性，也有自身的便捷性，以及超快的读写性能。
有了想法，后面的事情就有了方向。
图灵甚至专磕材料内部的电子特性，为的就是使其更符合材料在储存时候的表现，让其发挥最大的效能。
Rom生产的还是电子存储原理，类似固态盘，不是机械盘，所以这个方向很有针对性。
如今图灵没日没夜的搞模型，在材料性能相对固定的前提下提升产品的性能。
每次陆山精力疲惫要退出的时候，图灵都意犹未尽，但这也没办法，人总归是要休息的。
而庞加莱还是想办法尽可能提升材料的性能，两个人谁都想做出更多的成就，好让陆山有足够的积分留下自己。
一个月的时间很快过去了二十天，图灵已经在庞加莱和陆山的协助下完善了铜锡铁合金薄膜的生产模型，剩下的就是进入实际环节了。
对于实际生产，陆山非常的期待。
光是从模型就能看得出该产品的强大。
首先是内存条体积缩小了起码一半，也就意味着相同大小的内存条，能够存更多的东西，所以能按照现有的生产规格进行配套。
第二个优点是重量超级轻，这对于内存条来说同样重要，没人想买一块沉甸甸的玩意，这归因于材料的搭配合理。
第三个优点是能耗超级小，09年那一阵，电脑主机一开就是100w的功率，其中内存这一块能搞个10w。
现在能缩减到1W左右。能耗小了，就意味着东西更加耐用，高功率一直烧内存，别指望它的寿命够长，起码长不过低能耗。
第四就是单位体积容量大，实验室内，指甲盖那么大就能搞出10T的内存！
第五就是读写速度超级快，在默认频率下，新材料的内存的读取速度可以达到70000MB/s，写入速度为65000MB/s。
当然现在计算机受制于芯片以及主板，其实际极速读写速度也达不到这个水平。
所以该材料所生产的内存，不用看它的读写速度了，直接能够发挥芯片和主板的最大性能。
这放在上一世，即便过来十年也是嘎嘎乱杀。
不过陆山不打算一次性给那么多，给8G就够良心了。
主流也就2G左右，还有很多人还是1G而已，所以凭啥给那么多？挤牙膏才有升级的空间。
至于定价的话，肯定要贵一些。
对于这一点，陆山没有心理负担，即便成本更低的前提下。
模型以及定型的，剩下的就是生产了。
学校的实验室，陆山暂时不会去。
倒不是说害怕材料化学的那帮人，而是想晾一下江州大学，为自己今后能够获取更大的利益做准备。
陆山又花时间在设计出了生产产品的一些机械设备。
由于是全新的材料，全新的产品。
搞出生产设备都比较麻烦。
陆山还是感慨自己手里面的人太少了。
就在这个时候，夏光明也急匆匆的从燕京来到了江州大学。