不过此时，晶体管的制造技术还被列入国家军事一级机密，拥有了晶体管技术，共和国就能够制造出比任何国家都要先进十倍甚至数十倍的无线电设备。而且晶体管性能稳定，耗电量极低，用它制造的无线电设备比旧的电子管无线电设备体积要小得多，而且能够数十倍地提高性能。
实际上在20世纪初，世界上无线电制造领域已经开始广泛应用一些半导体材料了，人们已经知道了一些半导体材料的特性，晶体管在20年代就已经被发现。问题是由于资金的投入，限于当时的技术水平，人们无法得到高纯度的半导体材料的提纯技术。
用硅、锗半导体材料制成二极管和三极管是后世一个初中生都知道的基本物理常识，但在这个时代却是一次革命性的科技成就。当总统为无线电国家实验室提供了一份从国外得到的“秘密情报”后，国家半导体实验室里的工作就沿着一条正确的方向在飞速发展着。
在经过数年的努力，国家半导体实验室已经掌握了在煤烟中大规模提纯金属锗的生产技术，这已经为大规模的晶体管制造工业作好了准备。
“我们在这方面最少领先西方有五年的时间，这已经足够了！”林铄在观看了国家半导体实验室主任黄昆和主任研究员吴锡九、成从志博士专门为总统进行了用新型晶体管制造的无线电通讯设备演示，对他们的成就大为赞赏，并鼓励大家尽快将这一新技术成果应用到军事无线电设备的生产之中。