的过程中，使用了氮气和氢气作为保护气。实际上制成的低阻P型氮化镓半导体，比目前日本人用氮化铝做缓冲层获得的半导体性能还要更好。通过我测得的数据，我们的P型氮化镓电阻率是0.2Ω.cm，空穴浓度更是达到了3×10的18次方/立方厘米。”
“和日本人的电阻率12Ω.cm，空穴浓度10的17次方/立方厘米比起来，成本上的降低反而都不够看了！有了这种氮化镓外延片，蓝光LeD的性能和成本将降低到不可思议的程度！”
没错，胡文海现在手里捧着的这块大概2英寸大小的晶片，就是蓝光LeD芯片的核心技术——氮化镓外延片。
和其他的半导体芯片不同，LeD芯片的生产核心技术并非是Ic设计和光刻机，而是晶体生长技术。LeD芯片照明的原理很简单，就是半导体中的电流P端向n端流动的过程，P端的自由电子在n端的空穴中结合，P端和n端结合处就会产生光子辐射出来。而这种Pn结构的半导体，只是半导体设计中最常用的部分。
不需要太小的光刻线宽，不需要多么复杂的电路设计。后世中国很多LeD芯片生产厂家，设备都是从国内晶圆厂淘换的八手淘汰光刻机。可想而知，这里面的技术难点并非不可攻克。有了氮化镓外延片，光刻、封装和更下游的产业发展起来只是时间问题。
而LeD照明的市场有多大，不用说大家都清楚。以LeD光源的市场，足以支撑国内再开十个新科晶圆厂级别的LeD芯片生产基地。有了这个基础，中国半导体行业就不用担心成长的动力不足了。
而且更美妙的一点，则是LeD芯片生产的资本和技术要求并没有那么高，国内的资本和技术努努力完全能消化下来。不用挤占外资，反而能够大量创汇，必将引起国内投资半导体产业的热潮。
借着这股东风，正如胡文海对张仲谋说的，他不是担心有人和他抢市场。正相反，他担心的只是人太少，市场做不起来。
不过蓝光LeD的技术实现起来仍然并不容易，只是这里面最核心的技术从设计和光刻，变成了晶圆的生产。LeD芯片外延片——也就是氮化镓的晶圆，它是在一层蓝宝石上生长的氮化镓晶体层。单是这么一层薄薄的、只有50nm的氮化镓晶体层，就困扰了人类足足30多年。
新科公司只要牢牢把持住氮化镓外延片的供应，就能从这个市场上获取源源不断的利润。
历史上，这可是获得了诺贝尔奖的成果！2014年的诺贝尔物理学奖，便是因为蓝光LeD的发明，由赤崎勇和天野浩还有中村修二三个人分享的。
这其中，赤崎勇和天野浩获奖原因是第一次获得了高质量的氮化镓晶体，而中村修二的成果则是将氮化镓的性能和成本降低到了可以接受的程度。
如今赤崎勇和天野浩虽然已经在实验室里实现了高质量氮化镓的获得，但中村修二改进氮化镓生长性能的技术，却要到1992年才开发出来。
中村修二改进氮化镓的生长技术，关键在于两点。其一是采用两段法生长氮化镓，用550度生长的低温氮化镓层，代替了氮化铝晶体层作为缓冲层，解决了晶格失配的问题。其二则是在生成氮化镓的化学沉积过程中，在主气流的垂直方向吹入氮气和氢气的保护气体，也就是后来大名鼎鼎的双气流mocVD技术。
凭着这两点改进，中村修二将蓝光LeD从科学玩具彻底变成了改变人类生活的伟大发明。
LeD氮化镓外延片的制造，难点便是双气流mocVD的开发。但是多亏了如今的中美蜜月期，打死美国人都不卖的cVD设备，在胡文海晶圆厂项目的掩护下，也可以堂而皇之的进入中国了。
LeD照明芯片的低设计要求、低光刻工艺和取巧的解决思路，简直就是为新科晶圆厂量身定制的项目。
这本来是胡文海打算过几年，新科晶圆厂设备老化跟不上主流水平之后，为设备淘汰准备的去处。谁想到，白石的光电研究所竟然三下五除二的这么快就拿出了成果。这其中固然有美国应用材料公司出售的高品质cVD设备的原因，更多的则是胡文海低估了此时国内的技术研发能力。
氮化镓外延片的两个关键技术，两段法的难度在于材料选择的思路和温度控制。不过胡总直接把具体数据告诉了白石，当然是一试一个准。
另一个则是将cVD改造成双气流mocVD的要求，这个技术或许难度高了一些，但说到底不过是工程改造的问题，而不是什么高难度的技术研发。
工业品的成熟设计拿不出来，实验室水平的还是能拿的出来的。就算有什么困难，在不要求工业批量生产的条件下，也大可来一番土法上马。
于是胡文海预计怎么也要两三年才能出结果的研究，竟然那边晶圆厂还没建好，这边就已经出了结果。
不过说到底这毕竟是好事，胡文海这点“太快”的烦恼，也就是甜蜜的负担了。
胡文海趴在实验室里仔细的将手上的氮化镓外延片检